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韩媒:台积电进一步拉大和三星的差距
2019-12-02 15:02:07   作者:匿名  

来源:内容是从互联网集成的,谢谢。

世界上最大的半导体发电厂TSMC,在5纳米和3纳米处进展顺利。韩国媒体也承认,与三星相比,两家公司之间的差距将会扩大,三星正遭受越来越大的不确定性。

韩国媒体《商业朝鲜》报道称,TSMC计划在今年晚些时候或明年启动5纳米工艺,并在2021年或2022年启动3纳米工艺。通过3纳米工艺生产的半导体芯片的性能预期提高35%,效率提高50%。它优于目前使用的7纳米工艺生产的芯片。

TSMC认为摩尔定律仍然有效。根据摩尔定律,集成电路中晶体管的数量将每18个月增加一倍,性能将增加一倍,尽管有些人仍会提到它的物理限制。

该公司补充道:“我们有能力实现1纳米工艺,预计公司将在2纳米工艺技术上投资65亿美元,并于2024年开始基于该技术制造产品。ゥ?

TSMC的计划对三星来说是一个沉重的负担,三星的目标是到2030年在全球铸造市场占有最大的市场份额。

目前,由于日本对光刻胶等半导体生产原料的出口限制,三星的不确定性仍在增加。

一位业内人士表示:“三星已经完成了3纳米技术的研发,目前正在招聘许多紫外线加工相关设备的技术人员。ゥ?

他补充说,“然而,在取得进展之前,其投资和相关规划必须得到解决。”

TSMC 7纳米的供应短缺

在全球7纳米竞争中,TSMC先后赢得了苹果、华为技术、高通、amd和比特大陆等大订单。随着苹果和华为发布新机器,TSMC的收入也上升到了一个新水平。

最近,TSMC宣布了8月份的收入,突破了1000亿大关,创下新高!当月总收入为1061.8亿新台币(242亿元人民币),比上个月增长25.2%,比上年增长16.5%,再次扩大了与三星电子的差距。

根据trendforce扩展工业研究所2019年的最新报告?3号?本季度全球铸造市场的销售额将比第二季度高出13%。占据一半以上市场份额并达到50.5%的TSMC仍将占据领先地位,而三星电子将以18.5%的份额位居第二。虽然三星电子排名第二,但它能够在2019年赢得竞争?今年第一季度,TSMC的市场份额为48.1%,尚未达到50%,而三星电子的市场份额为19.1%。第三季度之后,估计只有18.5%。韩国的朝鲜日报曾表示,TSMC只能止步不前,因为其市场份额有望增长,因此三星电子希望超越TSMC的计划。

TSMC的收入增长主要归功于7纳米技术。其主要客户包括苹果、amd、华为、赛勒斯、高通等。然而,华为和苹果仍然是本轮增长的主要驱动力。这两家公司在第三季度储备了麒麟990和a13处理器,以推动7纳米订单的增长。

对华为来说,他们在7纳米节点上押注的芯片实际上比苹果的大。iphone11系列手机今年的销量预计不会超过去年。苹果的股票只会更加保守。华为已经在手机芯片、基带芯片、服务器芯片、人工智能芯片等许多产品中使用了7纳米技术。

TSMC在5海里抢劫

就在几天前,领先的晶圆代工企业TSMC的董事长刘德银在2019年半月台湾表示,TSMC的5纳米产品将于2020年正式推出。在进一步吸引市场注意力后,现在印刷媒体报道称,TSMC不仅将生产时间提前至2020年第一季度,而且由于大客户对5纳米产能的抢购,还将进一步提高其月度预订能力。

据《经济日报》报道,TSMC将5纳米生产工艺提前至2020年3月的主要原因是来自苹果、海斯、超微、比特兰和塞林西的激烈竞争,这使得TSMC的5纳米产能超出预期。这也使TSMC的计划生产能力从每月51,000件增加到每月70,000件,增长了近40%。

报告指出,市场推高5纳米产能需求的主要原因是各国5g部署的加速,这推动了市场对人工智能(ai)和高性能计算芯片的需求。根据供应链,TSMC的主要客户也非常积极地引入5纳米工艺。除了苹果公司计划于2020年在新iphone上发布已经计划使用5纳米工艺的A系列处理器之外,由于5g手机和基站的加速发布,中国华为的海斯公司也在5纳米领域与TSMC积极合作。

此外,其个人电脑处理器和图形芯片最近有着优异的销售业绩的amd、逻辑编辑组件(fpga)的主要制造商赛勒斯(Cyrus)和虚拟货币采掘机的领导者比特大陆(Bitland)都将在5纳米布局上与TSMC合作,使得TSMC的5纳米需求超出预期。因此,根据该计划,TSMC已经将其5纳米的预定产能从每月51,000件增加到每月70,000件,如果需要的话增加到80,000件,而扩大的产能将主要落在柯南第18工厂的p3工厂。

TSMC在路上2海里?

在最近开幕的科技创新论坛会议上,TSMC·R&D主任兼技术研究部副总经理黄汉森不仅讨论了未来将半导体技术扩展到0.1纳米的可能性,还宣布了一个重要消息——TSMC已经开始了2纳米工艺研发,预计将在四年后问世。

在TSMC目前的工艺规划中,7纳米工艺是去年大规模生产的。euv极紫外光刻技术首次用于7nm+并已投入大规模生产。

6纳米只是7纳米的升级版本,将于明年第一季度投入试生产。

5nm完全被导入euv极紫外光刻技术,并已开始危险的试生产。它将在明年年底大规模生产。苹果a14和amd的五代夏普龙(zen 4有望被采用),随后是增强的n5p工艺。

3n预计将于2021年试生产,2022年大规模生产。

事实上,TSMC今年6月宣布将开发一种2纳米工艺。工厂位于台湾新竹南方科技园,预计2024年投产。

根据TSMC给出的指数,2纳米过程是一个重要的节点。金属轨道(金属单元高度)保持在3纳米的5倍高,而栅极间距(晶体管栅极间距)减小到30纳米,金属间距(金属间距)减小到20纳米,比3纳米小23%。

然而,TSMC没有透露2纳米工艺所需的技术和材料,性能、功耗等指标甚至更不可能。

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